艾司摩爾(ASML)宣布與東京威力科創(TEL)簽署合作協議，以加快極紫外光微影(EUV Lithography)設備商用進展。根據協議，東京威力科創將提供最新的EUV塗布機(Coater)和顯影機(Developer)給艾司摩爾，並共同研究提高EUV微影製程量產速度的解決之道。
ASML表示，此項加速共同開發協議是為滿足客戶對EUV設備日益殷切的需求，期能在22奈米或更小製程節點導入此一設備，順利量產下世代晶片。
事實上，過去幾年，艾司摩爾與東京威力科創在EUV基礎技術方面已有共同研發的經驗。此次，加速共同開發協議將在過去基礎上，更進一步展開合作。東京威力科創將在艾司摩爾位於荷蘭Veldhoven的研發基地，裝設最新的EUV塗布機和顯影機，並合力在2012年底完成22奈米及以下節點的EUV製程開發。研發重心主要將聚焦於降低線寬粗糙度(Line Width Roughness)、減少顯影圖案損壞(Pattern Collapse)、缺陷控制和改善關鍵尺寸(Critical Dimension, CD)一致性等重要環節。
除EUV製程技術的突破外，艾司摩爾與東京威力科創也將針對現今仍相當普遍的ArF浸潤式微影製程進行改善，進一步提高其每日晶圓產出量至四千片以上。
